Sty60nm50 n-channel 500v, 0.045?, 60a, zener-protected, power mosfet

Especificaciones

Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Polaridad de transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 500 V
Id: corriente de drenaje continuo: 60 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 50 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 30 V, + 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 3 V
Qg (carga de compuertas): 266 nC
Temperatura operativa mínima: - 65 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Pd (disipación de potencia): 560 W
Modo canal: Enhancement
Nombre comercial: MDmesh
Serie: STY60NM50
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 46 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de establecimiento: 58 ns
150
Subcategoría: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de conexión típico: 51 ns